25 julio 2014 Consumibles

MEMORIA

Con el paso de los años, vemos cómo avanza la tecnología cada vez más, hemos vistos smartphones con distintos tipos de pantalla, resoluciones, con mejor o peor procesador, mejores cámaras… Pero a día de hoy, donde aún seguimos estancados es en la memoria interna de los dispositivos ya que lo más común es ver 8, 16, 34, 64 o 128 GB de almacenamiento interno, ya que las memorias NAND Flash no han evolucionado nada.

Pero esto podríamos solucionarlo muy pronto, ya que científicos de la Universidad Rice, en Texas, han descubierto la posibilidad de fabricar un nuevo chip RRAM, con capacidades de almacenamiento 50 veces superior a lo que ofrecen las actuales memorias. Es un tipo de memoria RAM resistiva, que al igual que la memoria flash, continúa almacenando información sin necesidad de energía constante. La diferencia es que las memorias flash almacenan los bits en forma de carga, mientras que las RRAM lo hacen en forma de resistencias eléctricas.

memoria-rram

De esta manera logran almacenar más información en el mismo espacio disponible, lo que daría como resultado hasta 1 TB. Pero no solo mejorará la capacidad del dispositivo, sino que también ganaremos una mayor velocidad de transferencia, la cual superaría incluso a los discos SSD que destacan por esto mismo.

Las memorias RRAM ya las conocían los fabricantes, pero su coste de fabricación era muy elevado. Este grupo de científicos ha logrado crear un método de fabricación que puede realizarse a temperatura ambiente con voltajes más bajos. De esta manera se ahorra mucho en gastos de producción y en energía. Ya hay varios fabricantes interesados en esta nueva tecnología, así que no tendremos que esperar mucho para poder ver los primeros Smartphone con estas nuevas capacidades.

Vía | Universidad Rice

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  1. Bitacoras.com 25 julio 2014

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